?國內市場DRAM現貨價格在整個11月份持續走低，尤其是DDR4受到的沖擊尤為嚴重。相比之下，NAND閃存價格顯示出穩定跡象。

業內估計，雙十一期間 DRAM 模組整體銷量與 2023 年同期相比下降約 20%。單位銷量下降 16%，平均售價下降約 9%。在產品價格貢獻方面，2024年雙十一期間，SSD的銷售表現已超越DRAM模組。今年雙十一，長江存儲旗下的致態品牌表現亮眼，在京東實現了SSD品類交易總額（GMV）和銷量的雙料第一，超過了三星。

進入12月，隨著國內促銷活動結束以及海外圣誕節備貨工作的收尾，存儲現貨市場進入相對平穩期。采購需求的降低，讓現貨價格隨之平穩，市場整體態勢無顯著變化。市場表示，經過2～3個季度的庫存調整，庫存壓力已顯著緩解。預計制造商更嚴格的供應控制將逐漸恢復補貨需求。也有業內人士表示，近期有部分原廠控貨惜售，令部分低價資源出現回漲現象。

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DDR4價格大跌

閃存市場數據顯示，在過去六個月中，隨著分銷渠道的連續萎縮，SSD和DRAM模塊的價格下降了20%以上。在連續兩個季度價格下降后，11月的現貨市場仍然出現波動，過剩的供應和疲軟的補貨需求將DRAM價格推至低于去年同期的水平。

11月的現貨市場數據顯示，DDR4價格大幅下跌，4GB、8GB和16GB等容量的月度跌幅在8%至10%之間。自第四季度開始以來，價格繼續逐步下降。DDR4 16GB 3200的價格從10月初的2.92美元下降到11月底的2.40美元，累計下降了17.8%。同樣，DDR4 4GB eTT的價格在兩個月內下降了16%。相比之下，DDR5的價格保持得更為穩定，同期僅下降了中個位數。

從國內消費電子市場來看，DDR4內存自2014年問世以來，憑借其穩定的性能、廣泛的兼容性和相對親民的價格，迅速成為了市場上的主流選擇。其工作電壓為1.2V，數據傳輸率可達1600-3200 MT/s，最大DIMM容量可達64GB，這些特性使得DDR4在性能、能效和成本之間取得了良好的平衡。

在當前DDR4內存價格普遍殺價的情況下，其性價比優勢更加凸顯。對于大多數日常辦公、游戲娛樂和常規多任務處理的用戶來說，DDR4內存已經完全能夠滿足需求，且無需承擔高昂的升級成本。

DDR3、DDR4等成熟產品價格走勢與消費性產品終端銷售、供應鏈庫存去化更直接相關。從當前的市場售價來看，DDR4內存的價格已經降至歷史低位，市場分析，若消費性市場需求好轉，2025年下半年成熟型存儲器行情，或有翻轉可能，但上半年應仍呈現供過于求的狀況。

在國際廠商瞄準DDR5與HBM的同時，DDR4在中國大陸市場還有不小的發展空間。

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DDR5保持韌性

DDR5內存作為新一代內存技術，帶來了諸多改進。其工作電壓降低至1.1V，數據傳輸率提升至3200-6400 MT/s，最大DIMM容量更是高達128GB。這些提升使得DDR5在帶寬、功耗和內存容量方面均優于DDR4，為處理大型數據集、運行復雜軟件和進行多任務處理提供了更高的效率。

但DDR5內存仍沒有迎來全面普及時代。首先，DDR5內存的價格雖然有所下降，但仍然明顯高于DDR4。對于預算有限的普通玩家來說，升級成本可能是一個不小的負擔。其次，DDR5內存需要兼容的主板和CPU支持，這意味著用戶在進行升級時可能還需要更換其他硬件，進一步增加了升級成本和時間成本。

對于普通玩家來說，如果當前的DDR4內存已經能夠滿足使用需求，那么升級DDR5內存所帶來的性能提升可能并不顯著，而升級成本卻相對較高。因此，從性價比的角度出發，普通玩家在當前階段將DDR4內存升級為DDR5內存的必要性并不大。

從國內市場來看，大陸的DRAM制造商正通過推出極具性價比的產品來擴大市場份額，尤其是在DDR4內存的生產上，降幅達到驚人的50%。原本由三星、SK海力士和美光制造的相同規格DDR4芯片，轉向中國制造商的產品，更具性價比。這種情況不僅使中國廠商獲得了新的客戶，還引發了外資企業的緊張氣氛，韓企也開始調整生產策略，逐漸減少DDR4的產量，轉向更高端的DDR5和HBM產品。

前三存儲大廠在HBM3E的供應進度，將直接影響其對DDR5產品的供應能力，也將直接影響DDR5的價格走勢。

傳統DRAM平均售價，預估從第一季至第四季，皆呈現個位數字緩跌，其中，DDR5價格走勢，較DDR4價格波動小。

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HBM沖出重圍

DDR4、DDR5雖然銷售不甚樂觀，但HBM在2024熱火朝天，同時市場也預測HBM樂觀的行情會持續到2025年。彭博預計到 2033 年，使用 HBM 的 AI 芯片預計將以每年 17% 的速度增長至超過 1900 萬片，由于 AI 模型復雜性的增加，每片芯片的 HBM 需求也將以同樣的速度增長。這一增長預計將使 HBM 總需求從 2023 年的 3.72 億 GB 增加到 87 億 GB，年增長率為 37%。

機構預測2025年DRAM平均售價年增率達17.0％；不過，DRAM平均售價上揚的動力，僅來自HBM產品。TrendForce預期，2025年DRAM產業產值年增36.3％至1,247.16億美元、位元出貨量年增24.7％、平均單價年增17.0％，三者皆呈雙位數成長。HBM在DRAM市場的滲透率將逐步提升，預估2025年第四季度時，HBM滲透率約達10％，HBM3E顆粒預計占2025年HBM的85％。

就DRAM總體供需而言，2024年第四季到2025年第一季，呈現短暫供過于求后，至2025年第二季后，隨著市場開始備貨，將轉為供不應求。DRAM前三大廠正在積極備戰HBM市場，2025年將加快產線升級至1b納米，主要供應HBM3E；2026 年將再往1c納米邁進，主要供應最新產品HBM4。

全球云服務公司及大企業積極投資生成式AI將對DRAM的后續帶來積極影響。三星、SK海力士及美光等三大DRAM大廠，紛紛將研發與生產重心轉向HBM，也影響了傳統DRAM產能及價格。

SK 海力士2025 年設置了AI芯片開發部門。新設的 AI 芯片開發部門整合了 DRAM、NAND 和解決方案的開發能力，著眼于下一代 AI 內存等未來技術，新提拔的管理者多來自 HBM 和 DRAM 等核心產品競爭力提升團隊，凸顯公司對未來增長的戰略布局。SK海力士計劃于2025年第一季度提供業界容量最大、層數最多的48GB、16層HBM產品樣品。

三星計劃在 2025 年初推出用于 HBM4 的 10 納米規模的第六代 (1c) DRAM；在 2026 年推出相同規模的第七代 (1d) DRAM；在 2027 年推出其首款亞 10 納米 (0a) DRAM。

供應鏈消息人士透露，在政府資源的大力支持下，工藝良率可能不是芯片制造商的首要擔憂。在 HBM 發展的過渡階段，隨著晶圓制造的增加，HBM 和 DDR5 之間的 IC 工藝交叉可能會導致 DDR5 供應量出現快速波動。這一初始增長可能會深刻影響 DDR5 的消費應用市場。

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NAND市場保持穩定

最后，再來看一下NAND市場。

閃存市場數據顯示，2024年第三季度全球NAND Flash市場規模達190.2億美元，環比增長5.7%，同比增長93.9%。NAND價格從11月開始穩定，512GB晶圓價格從3.3美元小幅下降至3.2美元。然而，供應鏈內部人士指出，實際交易價格仍低于市場掛牌價格。11月初，消費級512GB NAND晶圓的議價約為2.9美元，由于激烈價格競爭，一些報價低至2.2-2.3美元。2024年早些時候的投機性期貨交易導致了庫存壓力和利息成本，導致三個月后的大規模拋售。

在經歷了幾個動蕩的季度后，只有2-3家主要的內存模塊制造商保留了庫存，大多數較小的制造商已經清空了他們的庫存。

自11月中旬以來，上游制造商收緊了發貨控制，使512GB晶圓的現貨價格與官方價格保持一致。這一策略旨在穩定市場，因為年底發貨逐漸減少，以保持價格穩定并支持改善的年終財務業績。

市場份額來看，BS BusinessWorld 和 Blocks and Files 報告稱，三星是 NAND 市場的領導者，占有 36.9% 的份額，而 SK Hynix 和 Solidigm 合計占有 22.1%。值得注意的是，SK海力士在全球NAND市場的份額已經從2020年的11.7%增長到2024年第二季度的22.5%。

NAND市場廠商們沖刺層競爭激烈，預計2025年NAND時代將進入400層，2027年將達到1000層。韓國業內專家認為，三星、SK海力士、美光等都將在2025年推出400層NAND產品。

SK海力士已開始量產321層1Tb TLC 3D NAND Flash產品。此前，NAND 產品的最高層數為238層，SK海力士成為第一家成功量產 300 層 NAND 產品的公司。新款 321 層 1Tb TLC 3D NAND 的數據傳輸速度和讀取性能分別提升了 12% 和 13%，數據讀取功率效率也提升了 10% 以上。

三星電子將于2026年推出超過400層的高容量、高散熱的垂直鍵合（BV）NAND閃存，此舉旨在增強其根本的技術競爭力，并抓住目前落后的企業級固態硬盤（eSSD）市場的機遇。

內存行業歷來專注于通過規模經濟擴大產能以降低成本。由于三星和 SK 海力士在 NAND 市場處于領先地位，并有 DRAM 業務的支持，這些公司可能會繼續投資 NAND，盡管可能出現虧損，并利用 DRAM 的利潤來增強其在 NAND 領域的技術競爭力。