日前，《光：科學與應用》雜志上，發表了布朗大學研究人員的一項新的顯微鏡技術。作為納米級成像領域的首次嘗試，該技術利用藍光測量半導體和其他納米級材料中的電子，為研究這些關鍵部件開辟了一個新的可能性領域，也為一個長期存在的問題提供了解決方法。

“現在人們對使用光學技術研究納米級分辨率的材料很感興趣。但是，隨著波長的縮短，這變得越來越難以實現。所以，到目前為止，還沒有人用藍光實現過。” 布朗大學工程學院教授Daniel Mittleman說。

那么，布朗大學的研究人員又是如何繞過這個障礙，用藍光代替紅光進行s-SNOM的首次實驗演示的呢？

鑒于藍光的波長很短，這意味著聚焦在金屬尖端附近的正確位置的難度非常大；所以如果沒有對齊，測量將無法進行。對于典型技術藍光很難使用的客觀現實，研究人員發揮了超級創造力：使用藍光照亮樣品，使光發生散射，而且從樣品中產生一陣太赫茲輻射。因為太赫茲輻射的波長更長，所以就很容易對齊了。

在實驗中，研究人員使用藍光從硅樣品中獲得了無法使用紅光獲得的測量值。這些測量為使用較短波長在納米尺度上研究材料提供了有價值的概念證明。

“雖然該解決方案增加了一個額外的步驟，也增加了科學家們必須分析的數據量，但它消除了我們如何精確地將尖端對準樣品的需要。”Mittleman說，“我們能夠將這些新的測量結果與人們期望從硅中看到的結果進行比較，結果非常吻合。這證實了我們的測量是有效的，所以，我們將開始以前所未有的方式研究所有這些材料。”

目前，Mittleman正在制定使用藍光分析研究人員以前無法分析的材料的計劃。而研究人員則對可能會出現什么新信息和該方法導致的發現充滿期待，并著手于開始更好地了解用于生產藍色LED技術的半導體。